【k2387场效应管参数】K2387是一种常见的N沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、电机驱动、开关电路等领域。了解其基本参数对于电路设计和选型具有重要意义。以下是对K2387场效应管主要参数的总结。
一、K2387场效应管简介
K2387属于增强型MOSFET，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于中功率应用。该型号在工业控制、消费电子及通信设备中均有广泛应用。
二、K2387场效应管主要参数汇总
| 参数名称 | 符号 | 数值/范围 | 单位 | 说明 |
| 漏源电压 | V_DS | 60 | V | 最大允许漏源电压 |
| 栅源电压 | V_GS | ±20 | V | 栅源最大工作电压 |
| 连续漏极电流 | I_D | 15 | A | 额定连续工作电流 |
| 脉冲漏极电流 | I_D(peak) | 45 | A | 峰值脉冲电流 |
| 导通电阻 | R_DS(on) | 0.045 | Ω | 在V_GS=10V时的导通电阻 |
| 栅极电荷 | Q_g | 25 | nC | 栅极充电电荷 |
| 开关时间（开启） | t_on | 20 | ns | 从零到满电流的时间 |
| 开关时间（关断） | t_off | 25 | ns | 从满电流到零的时间 |
| 工作温度范围 | T_j | -55 ~ +150 | °C | 允许的工作结温范围 |
| 封装类型 | - | TO-220AB | - | 常见封装形式 |
三、使用注意事项
1. 栅极电压限制：确保栅源电压不超过±20V，避免击穿。
2. 散热设计：由于K2387在高负载下可能产生较大热量，建议搭配合适的散热器或使用散热垫。
3. 开关频率：虽然K2387具有较快的开关速度，但在高频应用中需注意寄生电感对性能的影响。
4. 过流保护：在实际应用中，建议加入适当的过流保护电路以防止损坏器件。
四、适用场景
K2387适用于多种中功率开关应用，包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 电机驱动电路
- 电源开关模块
- 电池管理系统
如需更详细的数据或应用方案，建议查阅官方数据手册或联系供应商获取技术支持。
